Ogroman tehnološki iskorak: Samsung postigao uspjeh, a evo o čemu se radi

28.11.2025. | 21:31

Samsung Electronics je potvrdio ogroman tehnološki iskorak: njihov SAIT istraživački institut (nekadašnji Samsung Advanced Institute of Technology) objavio je u časopisu “Nature” rezultate nove vrste NAND Flash strukture koja može da smanji potrošnju energije čak za 96 odsto u odnosu na današnje komercijalne NAND čipove.

U naučnom radu pod nazivom “Ferroelectric transistors for low-power NAND flash” tim istraživača opisuje kako je kombinacijom ferolelektričnih materijala i oksidnih poluprovodnika prvi put jasno definisan mehanizam koji omogućava rekordno nisku potrošnju energije tokom čitanja i upisa.

Revolucija u NAND memoriji otvara put efikasnijim AI centrima i mobilnim uređajima

Pročitajte još

ČetGPT postao najbolji prijatelj miliona ljudi: Ove stvari može da uradi umjesto vas Pažnja ili masovna kontrola? Evropa uvodi “chat control” Mladi sve više okreću leđa vještačkoj inteligenciji: Ko su “AI vegani”?

NAND memorija je osnovni tip trajnog prostora za čuvanje podataka koji zadržava informacije čak i kada nema napajanja.

Današnji razvoj NAND čipova zasniva se na gradnji sve viših 3D struktura sa stotinama ili hiljadama slojeva, čime se povećava gustina skladištenja.

Međutim, ova metoda nosi cijenu: potrošnja energije drastično raste, posebno pri masovnim opterećenjima kakva se viđaju u AI i cloud data centrima, prenosi “BenchMark”.

Oznake: Samsung, Tehnološki iskorak, Uspjeh